基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光界面接触形式研究

ISSN 1004-0595

CN 62-1224/O4

基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光界面接触形式研究[J]. 摩擦学学报, 2008, 28(2): 108-111.

引用本文:

基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光界面接触形式研究[J]. 摩擦学学报, 2008, 28(2): 108-111.

Investigation on Contact Form of Interface in Silicon Wafer CMP Based on Abrasion Behavior[J]. TRIBOLOGY, 2008, 28(2): 108-111.

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Investigation on Contact Form of Interface in Silicon Wafer CMP Based on Abrasion Behavior[J]. TRIBOLOGY, 2008, 28(2): 108-111.

Investigation on Contact Form of Interface in Silicon Wafer CMP Based on Abrasion Behavior

摘要: 设计了3种不同的抛光液并进行一系列抛光试验,得到机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率,分析了化学机械抛光时硅片与抛光垫之间接触形式的判别方法及其抛光机理.结果表明:化学机械抛光中的主要作用为磨粒的机械作用;材料的去除率主要为磨粒与抛光液交互作用所引起的材料去除率;硅片表面材料的去除形式主要为化学作用下的二体磨粒磨损;化学机械抛光时硅片与抛光垫之间的接触形式为实体接触.

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