ISSN   1004-0595

CN  62-1224/O4

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工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响[J]. 摩擦学学报, 1995, 15(2): 97-103.
引用本文: 工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响[J]. 摩擦学学报, 1995, 15(2): 97-103.
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Effect of Processing Variables on the Composition and Microstructure of lon Beam Enhanced Deposition SisN4 Film[J]. TRIBOLOGY, 1995, 15(2): 97-103.
Citation: Effect of Processing Variables on the Composition and Microstructure of lon Beam Enhanced Deposition SisN4 Film[J]. TRIBOLOGY, 1995, 15(2): 97-103.
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工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响

Effect of Processing Variables on the Composition and Microstructure of lon Beam Enhanced Deposition SisN4 Film

    摘要
  • 摘要: 本世纪８０年代以来，利用各种表面技术陶瓷材料涂覆于金属零件表面的研究发展很快，离子束增强沉积技术以其突出的优点更受到重视，利用这种技术合成陶瓷薄膜是一种新的物理气相沉积方法，而沉积薄膜的质量，性能和成膜速度都会受到工艺因素的影响，由于氮化硅陶瓷的硬度高，韧性和高温稳定性都比较好，是一种相当理想的耐磨材料，且其还有一定的自润滑性，因此，着重研究了氮离子束流和束压，氮离子与硅原子在基片上的达比，以及不

     

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