ISSN   1004-0595

CN  62-1095/O4

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用角分辩光电子能谱对溅射MoS_2膜结构的研究[J]. 摩擦学学报, 1986, 6(3).
引用本文: 用角分辩光电子能谱对溅射MoS_2膜结构的研究[J]. 摩擦学学报, 1986, 6(3).

用角分辩光电子能谱对溅射MoS_2膜结构的研究

  • 摘要: 用射频(rf)溅射法,在辉钼矿单晶和钢两种底材上沉积了MoS_2膜。以评价不同制备条件对膜性质的影响。然后用角分辨光电子能谱对样品进行测试,在以下几方面提供了信息:层状晶体基面的取向,紧靠底材的膜层(在1~10nm以内)和由较大的微晶组成的厚一些的宏观膜。(大约70~200nm)对于沉积在晶体基面上厚4.3nm的膜来说,其光电子发射对角度的依赖关系跟底材的一样,这就说明在这些膜内择优取向。对于在钢底材上厚一些的膜,所作的角分布研究结果跟先前的俄歇电子能谱的结果一致,因而证实润滑膜因取向不同而在它上面出现不同厚度的氧化物膜。对角度的依赖关系的数据跟描述膜表面的组成和结构的模型相吻合。

     

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