ISSN   1004-0595

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GeSb2Te4薄膜表面分形维数计算及表征[J]. 摩擦学学报, 2005, 25(2): 149-153.
引用本文: GeSb2Te4薄膜表面分形维数计算及表征[J]. 摩擦学学报, 2005, 25(2): 149-153.
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Fractal Dimension Calculation and Fractal Characterization of GeSb2Te4 Film[J]. TRIBOLOGY, 2005, 25(2): 149-153.
Citation: Fractal Dimension Calculation and Fractal Characterization of GeSb2Te4 Film[J]. TRIBOLOGY, 2005, 25(2): 149-153.
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GeSb2Te4薄膜表面分形维数计算及表征

Fractal Dimension Calculation and Fractal Characterization of GeSb2Te4 Film

    摘要
  • 摘要: 采用低功率直流磁控溅射法制备了GeSb2Te4薄膜,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的微观结构和相组成,研究了薄膜表面的分形特征.结果表明:沉积态GeSb2Te4薄膜为无规则、无择优取向的非晶材料;薄膜表面形貌AFM图像具有分形特征,基于自行编制的采用盒计数法求解随机分形维数的C语言程序,计算得到沉积态GeSb2Te4薄膜的分形维数为1.93;针对一维和二维随机分形多重分形谱的计算表明,沉积态GeSb2Te4薄膜满足分形的标度不变性;通过对沉积态和退火态薄膜进行多维分形谱计算,发现经过230 ℃退火处理的薄膜样品的多维分形谱较窄且晶化分布均匀.

     

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