ISSN   1004-0595

CN  62-1224/O4

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氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究[J]. 摩擦学学报, 1999, 19(4): 289-293.
引用本文: 氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究[J]. 摩擦学学报, 1999, 19(4): 289-293.
shu
Investigation of the Wear Mechanism of N+Ion Implanted Single-crystal SiO2 by SEM[J]. TRIBOLOGY, 1999, 19(4): 289-293.
Citation: Investigation of the Wear Mechanism of N+Ion Implanted Single-crystal SiO2 by SEM[J]. TRIBOLOGY, 1999, 19(4): 289-293.
shu

氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究

Investigation of the Wear Mechanism of N+Ion Implanted Single-crystal SiO2 by SEM

    摘要
  • 摘要: 利用氮离子注入技术改善ＳｉＯ２昌表面的摩擦磨损性能，并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后的ＳｉＯ２单昌在干摩擦条件下与Ｓｉ３Ｎ４球对摩时的磨损机理，研究结果表明，经过１＊１０＾１７Ｎ＾＋／剂量的氮离子注入后，ＳｉＯ２单昌表面的耐磨性能比注入前提高了近４个数量级，氮离子注入使ＳｉＯ２单晶表层形成ＳｉＯ２微晶态与非晶态共存混合态结构，其具有良好的抗塑变和塑性剪切能力，从而使ＳｉＯ２单晶的抗磨性能得到

     

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